P

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J    K    L    M    N    O    P    R    S    T    U    V    Z   

pašindukcija

pašindukcija – parādība, kad mainīga kontūrā plūstoša strāva rada mainīgu magnētisko plūsmu, kas ierosina kontūrā indukcijas EDS. Pašindukcija izpaužas, ja elektriskajā ķēdē strāvu ieslēdz vai izslēdz.

paātrinājums

paātrinājums – lielums, kas raksturo ātruma maiņas straujumu, [a] = m/s2

piesātināts tvaiks

piesātināts tvaiks – atrodas dinamiskā līdzsvara stāvoklī ar savu šķidrumu

pilnīgā iekšējā atstarošana

pilnīgā iekšējā atstarošana – notiek tad, ja krītošais stars atrodas optiski blīvākā vidē un krišanas leņķis ir lielāks nekā pilnīgās atstarošanas robežleņķis

pārvietojums

pārvietojums – vektors, kas vērsts no ķermeņa kustības sākumpunkta uz kustības beigu punktu, [s] = m

pilnā mehāniskā enerģija – sistēmas kinētiskās enerģijas un potenciālas enerģijas summa, [E] = J

potenciālā enerģija – enerģija, ko ķermenis uzkrāj kāda spēka ietekmē [Ep] = J.

potenciāls

potenciāls – lādiņa potenciālās enerģijas attiecība pret šī lādiņa lielumu [φ] =  V

polarizators

polarizators – ierīce, ar kuru no dabiskās gaismas iegūst polarizētu gaismu. Kā polarizatoru var izmantot kristālus, kuros atomi izvietojušies nesimetriski (anizotropus kristālus).

pretestības termiskais koeficients

pretestības termiskais koeficients – raksturo vadītāja pretestības atkarību no temperatūras, [α] = K-1; metāliem α > 0; pusvadītājiem α < 0

p un n vadītspēja

p un n vadītspēja – to izmanto pusvadītāju ierīcēs, jo p un n tipa pusvadītājiem piemīt dažāda vadītspēja. Caur šo pusvadītāju kontakta vietu strāva plūst tikai vienā virzienā. p - n pārejai ir raksturīga vienvirziena vadītspēja.

p - n pārejas

p - n pārejas – vienā kristālā blakus izveidotu p tipa un n tipa pusvadītāju slāņu robežslāni (apgabalu ap robežu) sauc par p - n pāreju

punktveida gaismas avots

punktveida gaismas avots – gaismas avots, kura izmēri ir daudzkārt mazāki par attālumu no gaismas avota līdz novērotājam

pusvadītāji

pusvadītāji – vielas, kuru īpatnējā pretestība ir mazāka nekā dielektriķiem, bet lielāka nekā vadītājiem. Izmantotākie pusvadītāji ir germānijs un silīcijs.

pussabrukšanas periods

pussabrukšanas periods – laiks, kādā katras radioaktīvas vielas aktivitāte samazinās divas reizes (T)